李娜
,
李宁
,
陆卫
,
刘兴权
,
窦红飞
,
沈学础
,
Fu Lan
,
Tan H H
,
Jagadish C
,
Johnston M B
,
Gal M
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2000.01.007
摘要 本文介绍利用界面混合技术对GaAs/AlGaAs量子阱结构进 行微调，通过荧光光谱和光响应电流谱给出了质子注入和快速退火对 禁带宽度及导带内子带位置的影响，荧光光谱峰位随注入剂量(5× 1014～5×1015～cm-2)的增加从766～nm持续蓝移至753～nm，光响 应峰值波长从8.2～μm移至10.3～μm。
关键词:
质子注入
,
快速退火
,
GaAs/AlGaAs
,
量子阱
